(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210925855.X (22)申请日 2022.08.03 (71)申请人 华南理工大 学 地址 510641 广东省广州市天河区五山路 381号 (72)发明人 罗家祥　邓筠钰　杨志宇　鲁思奇　 李巍　胡跃明　 (74)专利代理 机构 广州嘉权专利商标事务所有 限公司 4 4205 专利代理师 郑宏谋 (51)Int.Cl. G06T 7/00(2017.01) G06T 7/11(2017.01) G06T 7/13(2017.01) G06T 7/136(2017.01)G06T 5/00(2006.01) G06V 10/24(2022.01) G06V 10/26(2022.01) G06V 10/28(2022.01) G06V 10/30(2022.01) G06V 10/44(2022.01) G06V 10/764(2022.01) (54)发明名称 一种MLCC的外观缺陷检测方法、 装置及存储 介质 (57)摘要 本发明公开了一种MLCC的外观缺陷检测方 法、 装置及存储介质， 其中方法包括： 首先获取 MLCC图像， 进行旋转矫正， 对矫正后的图像进行 分割， 得到电容本体、 左、 右电极区域图像； 采用 基于连续距离异常点的凸包检测法和基于电极 对称特性的矩形检测法对电极边缘崩边、 崩角缺 陷进行检测； 针对本体图像进行预处理， 裁剪得 到本体边缘位置图像， 补全本体完整底边并得到 本体边缘区域掩膜； 采用基于异常白点位置的连 通域检测法、 基于多余边缘段的长度异常检测法 和基于完整底边凹陷的滑动窗口检测法分别对 本体边缘白点、 裂痕和崩缺缺陷进行检测。 本发 明能够实现对MLCC电极崩边、 崩角及本体白点、 裂痕、 崩缺缺陷的快速分类检测， 可广泛应用于 电子元器件缺陷检测领域。 权利要求书3页 说明书10页 附图5页 CN 115439410 A 2022.12.06 CN 115439410 A 1.一种MLC C的外观缺陷检测方法， 其特 征在于， 包括以下步骤： 获取MLCC的图像， 对获取到的图像进行旋转矫正， 对矫正后的图像进行分割， 获得电容 本体区域图像、 左电极区域图像及右电极区域图像； 根据左电极区域图像及右电极区域图像， 采用基于连续距离异常点的凸包检测法和基 于电极对称特性的矩形检测法对电极的边 缘缺陷进行检测， 若检测到存在缺陷， 中断检测； 反之， 进行下一步电容本体 检测； 对电容本体区域图像进行预处理， 裁剪获得电容本体上边缘位置图像和下边缘位置图 像， 对获得的边 缘位置图像进行底边补充操作， 获得 上边缘掩膜和下边 缘掩膜； 根据上边缘掩膜和下边缘掩膜， 采用基于异常白点位置的连通域检测法、 基于多余边 缘段的长度异常检测法和基于完整底边凹陷的滑动窗口检测法分别对电容本体的边缘白 点、 裂痕和崩缺 缺陷进行检测。 2.根据权利要求1所述的一种MLCC的外观缺陷检测方法， 其特征在于， 所述根据左电极 区域图像及右电极区域图像， 采用基于连续距离异常点的凸包检测法和基于电极对称特性 的矩形检测法对电极的边 缘缺陷进行检测， 包括： 采用固定阈值法， 对左电极区域图像及右电极区域图像进行二值化处理， 提取二值化 图像的轮廓， 获得电极轮廓； 根据获得的电极轮廓， 使用基于电极对称特性的矩形检测法对电极的边缘崩边缺陷进 行检测； 根据获得的电极轮廓， 使用基于电极对称特性的矩形检测法对电极的边缘崩角缺陷进 行检测。 3.根据权利要求2所述的一种MLCC的外观缺陷检测方法， 其特征在于， 所述根据获得的 电极轮廓， 使用基于电极对称特性的矩形检测法对电极的边 缘崩边缺陷进行检测， 包括： 提取电极轮廓的凸包线； 遍历电极轮廓， 依次计算电极轮廓上的像素点与凸包线之间的距离d； 当电极轮廓上某像素点与凸包线距离大于预设距离阈值dthr时， 将该像素点作为异常 点， 并开始对连续异常点进行计数， 判断当前连续异常点数是否超过预设异常像素点数阈 值T， 若超过， 中断检测， 判定电极存有边缘崩边缺陷； 反之， 连续异常点计数值清 零， 继续进 行遍历过程， 直至电极轮廓遍历完成； 所述根据获得的电极轮廓， 使用基于电极对称特性的矩形检测法对电极的边缘崩角缺 陷进行检测， 包括： 获取电极轮廓的外接矩形， 计算每一横坐标下左侧轮廓与外接矩形左侧边界之间距离 dl、 右侧轮廓与外接矩形右侧边界之间距离dr； 计算每一纵坐标下上侧轮廓 与外接矩形上侧 边界之间距离du、 下侧轮廓与外 接矩形下侧边界之间距离dd； 遍历轮廓每一行， 计算每一横坐标下距离dl与距离dr之差的绝对值， 若差的绝对值大于 预设的左右距离差值阈值， 则将当前横坐标所在行作为异常行； 若连续异常行行数达到预 设异常行数阈值C， 且该C行异 常行轮廓与外接矩形左 右侧边界差值均值dC大于预设异 常行 左右轮廓差值阈值， 中断检测， 判定电极存有边 缘崩角缺陷； 遍历轮廓每一列， 计算每一纵坐标下du与dd之差的绝对值， 若差的绝对值大于预设的上 下距离差值阈值， 则将当前纵坐标所在行作为异常列； 若连续异常列列数达到预设异常列权　利　要　求　书 1/3 页 2 CN 115439410 A 2数阈值R， 且该R列异常列 轮廓与外接矩形上下侧边 界差值均值dR大于预设异常列上下轮廓 差值阈值， 中断检测， 判定电极存有边 缘崩角缺陷。 4.根据权利要求1所述的一种MLCC的外观缺陷检测方法， 其特征在于， 所述对电容本体 区域图像进行预处理， 裁剪获得电容本体上边缘位置图像和下边缘位置图像， 对获得的边 缘位置图像进行底边补充操作， 获得 上边缘掩膜和下边 缘掩膜， 包括： 对电容本体区域图像进行裁剪， 其中， 电容本体区域图像的上部1/4为上部图像up_ img， 电容本体区域图像的下部1/4 为下部图像do wn_img； 计算图像除电极区域以外部分的OTSU自适应阈值， 使用该OTSU自适应阈值对电容本体 区域图像进行阈值分割， 获得二 值图； 提取二值图本体部分的内轮廓， 去除干扰 轮廓， 获得轮廓图像； 对轮廓图像进行裁剪， 轮廓图像的上部1/4为上轮廓， 轮廓图像的下部1/4为下轮廓， 分 别补全两 部分完整底边； 针对获得的二值图， 保留本体部分灰度为255， 其余部分灰度设置为0， 对图像进行形态 学操作， 消除本体内部及边缘噪点， 获得本体部分二值图作为掩膜； 对掩膜进行裁剪， 得到 上部1/4图像为上边 缘掩膜up_mask及下部1/4图像为下边 缘掩膜do wn_mask。 5.根据权利要求4所述的一种MLCC的外观缺陷检测方法， 其特征在于， 所述对轮廓图像 进行裁剪， 轮廓图像的上部1/4为上轮廓， 轮廓图像的下部1/4为下轮廓， 分别补 全两部分完 整底边， 包括： 对两部分每一行轮廓点个数进行排序， 选取轮廓点个数最多的行r1及第二多的行r2作 为候选底边， 若r1行轮廓点数大于两倍r2行轮廓点数， 则将r1设置为底边； 否则， 将r1和r2中 相对位置 靠外的行设置为底边； 对底边所在行进行像素补全， 形成完整底边， 并去 除纵坐标小于上底边纵坐标及大于 下底边纵坐标的轮廓噪点， 得到上边 缘图像up_edge及下边 缘图像do wn_edge。 6.根据权利要求5所述的一种MLCC的外观缺陷检测方法， 其特征在于， 所述根据上边缘 掩膜和下边缘掩膜， 采用基于异常白点位置的连通域检测法、 基于多余边缘段的长度异常 检测法和基于完整底边凹陷的滑动窗口检测法分别对电容本体的边缘白点、 裂痕和崩缺缺 陷进行检测， 包括： 采用基于异常白点 位置的连通 域检测法对电容本体的边 缘白点缺陷进行检测； 采用基于多余 边缘段的长度异常检测法对电容本体的边 缘裂痕缺陷进行检测； 针对获得的上边缘图像up_edge及下边缘图像down_edge， 采用基于完整底边凹陷的滑 动窗口检测法对电容本体的边 缘崩缺缺陷进行检测。 7.根据权利要求6所述的一种MLCC的外观缺陷检测方法， 其特征在于， 所述采用基于异 常白点位置的连通 域检测法对电容本体的边 缘白点缺陷进行检测， 包括： 针对获得的上部图像up_img及下部图像down_img， 将图像左右各1/5部分图像进行裁 剪， 计算保留的中部图像的像素点灰度值总和sum； 采用OTSU自适应阈值对中部图像进行分割， 得到二值图， 计算二值图中灰度为255的像 素点总数s， 计算突出白点缺陷的二值化阈值： thre＝a ×sum/s， 其中a为预设的阈值系数； 使用该阈值thre对图像进行二 值化处理； 分析二值化图像的连通 域， 判断是否存在白点 缺陷；权　利　要　求　书 2/3 页 3 CN 115439410 A 3