(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210693198.0 (22)申请日 2022.06.17 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 230601 安徽省合肥市经济技 术开发 区空港工业园兴业大道38 8号 (72)发明人 欧汉司　翟玉龙　 (74)专利代理 机构 北京派特恩知识产权代理有 限公司 1 1270 专利代理师 高天华　蒋雅洁 (51)Int.Cl. G01N 21/95(2006.01) G01N 21/01(2006.01) G01R 31/26(2014.01) (54)发明名称 一种缺陷检测方法、 装置以及设备和存储介 质 (57)摘要 本公开实施例提供一种缺陷检测方法、 装置 以及设备和存储介质。 所述检测方法包括： 提供 半导体待测器件， 所述半导体待测器件包括多个 待测单元； 将所述半导体待测器件设置在激光镜 头的视场内， 对所述待测单元进行第一电性检 测， 以得到所述待测单元在室温下的第一检测值 以及所述待测单元在所述激光镜头扫描下的第 二检测值； 根据所述第一检测值与所述第二检测 值， 确定所述待测单 元是否存在缺陷。 权利要求书3页 说明书15页 附图3页 CN 115266745 A 2022.11.01 CN 115266745 A 1.一种缺陷检测方法， 其特 征在于， 所述检测方法包括： 提供半导体待测器件， 所述半导体待测器件 包括多个待测单 元； 将所述半导体待测器件设置在激光镜头的视场内， 对所述待测单元进行第一电性检 测， 以得到所述待测单元在室温下的第一检测值以及所述待测单元在所述激光镜头扫描 下 的第二检测值； 根据所述第一检测值与所述第二检测值， 确定所述待测单 元是否存在缺陷。 2.根据权利要求1所述的缺陷检测方法， 其特征在于， 对所述待测单元进行第 一电性检 测， 以得到所述待测单 元在所述激光镜 头扫描下的第二检测值， 包括： 若所述待测单元的所述第 一检测值大于第 一预设检测值， 则确定所述待测单元为怀疑 单元； 通过所述激光镜头对所述怀疑单元进行激光束扫描， 得到所述怀疑单元的第二检测 值。 3.根据权利要求2所述的缺陷检测方法， 其特征在于， 所述根据 所述第一检测值与 所述 第二检测值， 确定所述待测单 元是否存在缺陷， 包括： 若所述第二检测值与所述第一预设检测值基本相同， 则确定所述待测单 元存在缺陷。 4.根据权利要求1所述的缺陷检测方法， 其特征在于， 所述根据 所述第一检测值与 所述 第二检测值， 确定所述待测单 元是否存在缺陷， 包括： 若所述第二检测值小于所述第一检测值， 则确定所述待测单 元存在缺陷。 5.根据权利要求1所述的缺陷检测方法， 其特征在于， 每个所述待测单元包括多个MOS 管， 确定所述待测单 元存在缺陷的情况 下， 所述检测方法还 包括： 对所述待测单元的每个MOS管进行第一电性检测， 以得到所述MOS管在室温下的第三检 测值以及所述MOS管在所述激光镜 头扫描下的第四检测值； 根据所述第三检测值与所述第四检测值， 确定所述MOS管 是否存在缺陷。 6.根据权利要求5所述的缺陷检测方法， 其特征在于， 对所述MOS管进行第一电性检测， 以得到所述MOS管在所述激光镜 头扫描下的第四检测值， 包括： 若所述MOS管的所述第三检测值大于第二预设检测值， 则确定所述MOS管为怀疑MOS管； 通过所述激光镜头对所述怀疑MOS管进行激光束扫描， 得到所述怀疑MOS管的第四检测 值。 7.根据权利要求6所述的缺陷检测方法， 其特征在于， 所述根据 所述第三检测值与 所述 第四检测值， 确定所述MOS管 是否存在缺陷， 包括： 若所述第四检测值与所述第二预设检测值基本相同， 则确定所述MOS管存在缺陷。 8.根据权利要求5所述的缺陷检测方法， 其特征在于， 所述根据 所述第三检测值与 所述 第四检测值， 确定所述MOS管 是否存在缺陷， 包括： 若所述第四检测值小于所述第三检测值， 则确定所述MOS管存在缺陷。 9.根据权利要求1所述的缺陷检测方法， 其特征在于， 所述对所述待测单元进行第 一电 性检测之前， 所述检测方法还 包括： 对所述半导体待测器件进行第 二电性检测， 以得到所述半导体待测器件在第 一温度下 的第五检测值以及 在第二温度下的第六检测值； 其中， 所述第一温度小于所述第二温度； 根据所述第五检测值、 所述第六检测值以及所述半导体待测器件的设计版图， 确定所权　利　要　求　书 1/3 页 2 CN 115266745 A 2述半导体待测器件中的所述待测单 元。 10.根据权利要求1所述的缺陷检测方法， 其特征在于， 所述提供半导体待测器件之前， 所述检测方法还 包括： 提供多个半导体 器件； 依次对所述半导体 器件施加低压电压和高于所述低压电压的导 通电压； 若所述半导体器件在所述低压电压和所述导通电压下的工作状态不同， 则确定所述半 导体器件为半导体待测器件。 11.一种缺陷检测装置， 其特 征在于， 所述检测装置包括： 激光检测模块， 用于提供激光镜头扫描待测单元； 其中， 多个所述待测单元构 成半导体 待测器件； 所述半导体待测器件设置在所述激光镜 头的视场内； 电性检测模块， 用于对所述待测单元在室温下进行第一电性检测以得到第一检测值； 以及用于对所述待测单 元在所述激光镜 头扫描下进行第一电性检测以得到第二检测值； 缺陷检测模块， 用于根据所述第一检测值与所述第二检测值， 确定所述待测单元是否 存在缺陷。 12.根据权利要求1 1所述的缺陷检测装置， 其特 征在于， 所述缺陷检测模块具体用于若所述待测单元的所述第 一检测值大于第 一预设检测值， 则确定所述待测单 元为怀疑单 元； 所述激光检测模块具体用于对所述怀疑单 元进行激光束扫描； 所述电性检测模块具体用于对所述怀疑单元在激光束扫描下进行第一电性检测以得 到第二检测值。 13.根据权利要求12所述的缺陷检测装置， 其特 征在于， 所述缺陷检测模块具体用于若所述第 二检测值与 所述第一预设检测值基本相同， 则确 定所述待测单 元存在缺陷。 14.根据权利要求1 1所述的缺陷检测装置， 其特 征在于， 所述缺陷检测模块具体用于若所述第 二检测值小于所述第 一检测值， 则确定所述待测 单元存在缺陷。 15.根据权利要求11所述的缺陷检测装置， 其特征在于， 每个所述待测单元包括多个 MOS管， 确定所述待测单 元存在缺陷的情况 下， 所述电性检测模块具体用于对所述待测单元的每个MOS管在 室温下进行第 一电性检测 以得到第三检测值； 以及具体用于对所述待测单元的每个MOS管在所述激光镜头扫描下进 行第一电性检测以得到第四检测值； 所述缺陷检测模块具体用于根据所述第三检测值与所述第 四检测值， 确定所述MOS管 是否存在缺陷。 16.根据权利要求15所述的缺陷检测装置， 其特 征在于， 所述缺陷检测模块具体用于若所述MOS管的所述第三检测值大于第二预设检测值， 则 确定所述MOS管为怀疑MOS管； 所述激光检测模块具体用于对所述怀疑MOS管进行激光束扫描； 所述电性检测模块具体用于对所述怀疑MOS管在激光束扫描下进行第 一电性检测以得 到第四检测值。权　利　要　求　书 2/3 页 3 CN 115266745 A 3